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高效高亮度多有源区隧道再生白光发光二极管

基本信息

申请号 CN03157152.2 申请日 -
公开（公告）号 CN1490888A 公开（公告）日 2004-04-21
申请公布号 CN1490888A 申请公布日 2004-04-21
分类号 H01L33/00 分类 基本电气元件;
发明人 沈光地;郭霞;郭伟玲;高国;廉鹏;门伟钢;李建军;邹德恕;陈建新 申请（专利权）人 北京工大智源科技发展有限公司
代理机构 北京思海天达知识产权代理有限公司 代理人 北京工业大学;北京太时芯光科技有限公司
地址 100022北京市朝阳区平乐园100号
法律状态 -

摘要

摘要 高效高亮度多有源区隧道再生白光半导体发光二极管(LED)，属于半导体光电子技术领域，涉及一种发光二极管。本发明包括有依次纵向层叠的p型电极(1)，红色发光单元(14)，隧道结(9)，由绿色发光单元(15)、蓝色发光单元(16)、及绿色发光单元与蓝色发光单元之间的隧道结(9)或者由蓝绿色发光单元(19)构成的下层芯片(17)，n型电极(13)，还包括有设在红色发光单元和与其相邻的隧道结(9)之间的或者设在下层芯片(17)和与其相邻的隧道结(9)之间的芯片键合层(8)。本发明的发光二极管是一次电光转换，发光效率高，由于材料为半导体材料，比基于荧光粉的器件的可靠性高，寿命长，色度逼真。