高效逐级增强高亮度发光二极管及其设计方法

基本信息

申请号 CN99100397.7 申请日 -
公开(公告)号 CN1079586C 公开(公告)日 2002-02-20
申请公布号 CN1079586C 申请公布日 2002-02-20
分类号 H01L33/00;H01S5/30 分类 基本电气元件;
发明人 沈光地;高国;陈昌华;郭伟玲;陈良惠;马骁宇;杜金玉;周静;邹德恕;陈建新;王学忠;董欣 申请(专利权)人 北京工大智源科技发展有限公司
代理机构 北京工大思达专利事务所 代理人 张慧
地址 100022北京市朝阳区平乐园100号
法律状态 -

摘要

摘要 一种高效逐级增强高亮度发光二极管及其设计方法,属于半导体光电子技术领域,其特征是发光二极管中的发光区由多个重复排列的单元大发光区构成,每一个单元大发光区包括前级发光区和后级发光区以及位于前后两级发光区之间的P+-N+隧道结。多级发光区通过各级间的隧道结为前级复合掉的电子和空穴提供再生通道,从而成倍地提高器件的量子效率和亮度。该发光二极管能提供高亮度半导体光源,用于光显示、交通信号灯、汽车头尾灯等领域。