DRAMLessSSDNAND编程出错的优化方法、装置及介质专利查询专利号|摘要-满商公司网

DRAMLessSSDNAND编程出错的优化方法、装置及介质

基本信息

申请号	CN202210060609.2	申请日	-
公开（公告）号	CN114420192A	公开（公告）日	2022-04-29
申请公布号	CN114420192A	申请公布日	2022-04-29
分类号	G11C29/44（2006.01）I	分类	信息存储;
发明人	王猛;徐伟华;韩道静	申请（专利权）人	苏州忆联信息系统有限公司
代理机构	深圳市精英专利事务所	代理人	李燕娥
地址	215000江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区星湖街328号7栋4楼001
法律状态	-

摘要

本发明实施例公开了一种DRAMLess SSD NAND编程出错的优化方法、装置及介质，其中方法包括：将待编程数据写入SSD的写缓存区；从写缓存区将待编程数据发送至NAND的缓冲寄存器中；将NAND的缓冲寄存器中的待编程数据发送至NAND的存储数据的物理阵列中进行编程；当待编程数据发送至NAND的缓冲寄存器后立即释放SSD的写缓存区中的待编程数据；当NAND的存储数据的物理阵列编程完成后反馈编程是否成功的状态；当NAND物理阵列编程出错时将NAND的缓冲寄存器中的待编程数据重新发送至NAND的存储数据的物理阵列中进行编程。本发明针对DRAMLess的SSD，通过NAND的缓冲寄存器作为编程出错时的数据备份恢复区，既保障了DRAMLess这类SSD的写性能要求，又保障了数据可靠性。