一种超薄硅片的制备方法、超薄硅片以及太阳能电池
基本信息
| 申请号 | CN202011603101.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114695232A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114695232A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01L21/683（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴兆;徐琛;李子峰;靳金玲;解俊杰 | 申请（专利权）人 | 隆基绿能科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 710100陕西省西安市长安区航天中路388号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种超薄硅片的制备方法、超薄硅片以及太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。其中，在硅衬底上可以形成缺陷层与外延层，且缺陷层在硅衬底与外延层之间，通过在硅衬底进行加热的方法，使得硅衬底和外延层的界面处形成热膨胀应力，热膨胀应力具有较好的应力均匀性，便于外延层的剥离，由于对硅衬底施加热膨胀应力降低了对外延层剥离的难度，因此，也降低了对缺陷层中缺陷密度的要求，缺陷层中较低的缺陷密度可有效提高缺陷层上外延层的质量；同时，对硅衬底施加的热膨胀应力也降低了对外延层进行剥离时施加应力的要求，避免了高应力对外延层的破坏，提高了超薄硅片制备的良率和效率，工艺重复性好。 |
