一种硅异质结电池及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202010827798.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112466977B | 公开（公告）日 | 2022-07-15 |
| 申请公布号 | CN112466977B | 申请公布日 | 2022-07-15 |
| 分类号 | H01L31/0747（2012.01）I;H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/20（2006.01）I;H01L31/0352（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐琛 | 申请（专利权）人 | 隆基绿能科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京知迪知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 710100陕西省西安市长安区航天中路388号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种硅异质结电池及其制作方法，涉及太阳能电池技术领域，以降低P型掺杂硅层与透明导电层之间的肖特基势垒，减小P型掺杂硅层耗尽层宽度，从而增加空穴收集能力，提高电池性能。所述该硅异质结电池包括硅基底、界面反型层和第一透明导电层。硅基底包括掺杂硅衬底、P型掺杂硅层以及形成在掺杂硅衬底和P型掺杂硅层之间的第一本征硅层。界面反型层形成在P型掺杂硅层上。第一透明导电层形成在界面反型层上。该界面反型层包含极性有机分子。极性有机分子与P型掺杂硅层中的硅原子成键。界面反型层具有从透明导电层指向P型掺杂硅层的偶极矩。所述硅异质结电池的制作方法用于制作硅异质结电池。本发明提供的硅异质结电池用于光伏发电。 |
