一种超薄硅片的切片方法、超薄硅片以及太阳能电池专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种超薄硅片的切片方法、超薄硅片以及太阳能电池

基本信息

申请号	CN202011603161.1	申请日	-
公开（公告）号	CN114695233A	公开（公告）日	2022-07-01
申请公布号	CN114695233A	申请公布日	2022-07-01
分类号	H01L21/683（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	吴兆;徐琛;李子峰;靳金玲;解俊杰	申请（专利权）人	隆基绿能科技股份有限公司
代理机构	北京润泽恒知识产权代理有限公司	代理人	-
地址	710100陕西省西安市长安区航天中路388号
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种超薄硅片的切片方法、超薄硅片以及太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。其中，在硅块体的表层下方设置缺陷层，此时，可以对表层进行加热，使得缺陷层一侧的表层获得热膨胀应力，缺陷层另一侧的硅块体产生应力梯度，相比于未施加热膨胀应力时，表层与硅块体更易于从缺陷层的位置分离，从而降低了对缺陷层缺陷密度的要求，提高了缺陷层的设置速率以及表层的晶体质量；同时向表层施加的热膨胀应力，也可以在剥离表层的过程中降低对表层的边缘施加应力的要求，从而避免造成超薄硅片的损伤，提升切片得到的超薄硅片的质量，因此，本发明实施例提供的超薄硅片的切片方法生产速率高、重复性好、产品良率高，能够获得高质量的超薄硅片。