一种长条型钼靶的制备方法
基本信息
申请号 | CN202010536764.8 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN111647860B | 公开(公告)日 | 2022-06-03 |
申请公布号 | CN111647860B | 申请公布日 | 2022-06-03 |
分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;B22F3/04(2006.01)I;B22F3/10(2006.01)I;B22F3/20(2006.01)I;B22F3/24(2006.01)I;B22F5/00(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 方宏;孙虎民;岳灿甫 | 申请(专利权)人 | 丰联科光电(洛阳)股份有限公司 |
代理机构 | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) | 代理人 | - |
地址 | 471000河南省洛阳市中国(河南)自由贸易试验区洛阳片区高新河洛路269号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供一种长条型钼靶的制备方法,包括以下步骤:步骤一:选取适量的钼粉,进行胶套装粉,将装过粉的胶套进行冷等静压成型,得到坯体;步骤二:将步骤一得到的坯体在氢气保护气氛下进行烧结,得到烧结坯;步骤三:将步骤二得到的烧结坯先在氢气保护下进行加热,然后再进行热挤压,之后退火、校平;步骤四:将步骤三处理后的产品进行磨削等机加工,得到最终所需尺寸的钼靶材产品,本专利工艺步骤简单,制备的长条钼溅射靶材纯度、相对密度、晶粒度均满足TFT‑LCD显示镀膜领域使用需求,且生产成本低,产品尺寸宽泛,便于工业化批量生产。 |
