一种多规格高纯铜靶材的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910992121.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110578126B | 公开（公告）日 | 2021-12-28 |
| 申请公布号 | CN110578126B | 申请公布日 | 2021-12-28 |
| 分类号 | C23C14/34（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 张雪凤;方宏;孙虎民;岳灿甫 | 申请（专利权）人 | 丰联科光电（洛阳）股份有限公司 |
| 代理机构 | 洛阳公信知识产权事务所（普通合伙） | 代理人 | 李现艳 |
| 地址 | 471000河南省洛阳市中国（河南）自由贸易试验区洛阳片区高新河洛路269号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种多规格高纯铜靶材的制备方法，包括以下步骤：步骤一、铜锭坯加热；步骤二、加热锭坯热轧；对步骤一中加热后的高纯铜锭进行多道次热轧制后冷却至室温；步骤三、铜靶坯校平；对冷却后的铜靶坯采用校平机进行校平；步骤四、对校平后的铜靶坯按需进行切割；步骤五、铜靶坯粗加工；对铜靶坯采用数控机床进行粗加工；步骤六、将粗加工后的铜靶坯在校平机上碾压校平，在释放加工应力的同时，平整铜靶坯弯曲；步骤七、校平后的铜靶坯在数控机床上精加工；本发明可以制备不同规格的成品铜靶材，用本发明制备的高纯铜靶材平均晶粒度≤80微米，满足了液晶面板产业对于高纯铜靶材的要求，具有显著的经济与社会效益。 |
