一种MPCVD腔体结构
基本信息
| 申请号 | CN202120330950.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215251168U | 公开（公告）日 | 2021-12-21 |
| 申请公布号 | CN215251168U | 申请公布日 | 2021-12-21 |
| 分类号 | C23C16/511（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 胡常青;邹益 | 申请（专利权）人 | 上海铂世光半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海邦德专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 余娜 |
| 地址 | 201707上海市青浦区新科路303号1幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种MPCVD腔体结构，包括腔体本体、微波源和波导，波导顶部远离微波源一侧设置有模式转换器，模式转换器贯穿波导且位于腔体本体内，腔体本体内部底部固定连接有支撑柱，支撑柱顶端固定连接有支撑台，支撑台顶部固定连接有放置台，腔体本体外侧中部开设有环形槽，环形槽内环绕设置有密封环，密封环与腔体本体转动连接，腔体本体靠近微波源一侧顶部开设有进气口，腔体本体内壁顶部固定连接有石英窗口，有益效果是：本实用新型操作简单，使用方便，可以根据不同的散热需求进行有效的自由调节，同时，通过多种散热方式有效的增加散热速度，提高散热效率，同时在设备运行时可以有效的保证散热孔的密封性，不会对设备的运行造成影响。 |
