一种MPCVD生长台的升降装置
基本信息
| 申请号 | CN202110743448.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113502462B | 公开（公告）日 | 2022-02-11 |
| 申请公布号 | CN113502462B | 申请公布日 | 2022-02-11 |
| 分类号 | C23C16/458（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 胡常青;赵建海 | 申请（专利权）人 | 上海铂世光半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海邦德专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 余娜 |
| 地址 | 201707上海市青浦区新科路303号1幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种MPCVD生长台的升降装置，包括固定装置、动力装置、调节装置和检测装置，固定装置和动力装置连接，动力装置和调节装置传动连接，调节装置一侧设有若干检测装置，检测装置和调节装置活动连接，固定装置包括框架、工作台和反应室，工作台置于框架上侧，框架和工作台紧固连接，工作台上侧设有反应室，工作台上设有通孔，反应室底侧设有进口，工作台通孔和反应室进口连通，反应室上设有反应腔，调节装置和检测装置置于反应腔内，调节装置上侧设有生长台，生长台和调节装置紧固连接，固定装置还包括底座，底座和框架紧固连接，底座一侧设有动力装置。 |
