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一种冶金法制备太阳能多晶硅的技术方法

基本信息

申请号 CN201110150714.7 申请日 -
公开（公告）号 CN102229430B 公开（公告）日 2013-04-10
申请公布号 CN102229430B 申请公布日 2013-04-10
分类号 C01B33/025(2006.01)I;C01B33/037(2006.01)I 分类 无机化学;
发明人 刘应宽;盛之林;何怀兴;关宁 申请（专利权）人 宁夏银星多晶硅有限责任公司
代理机构 合天律师事务所 代理人 郭立宁
地址 751100 宁夏回族自治区吴忠市利通区友谊东路
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于材料工程技术领域，特别涉及一种太阳能级多晶硅的制备方法。其技术方案是为采用高纯硅石和碳质还原剂为原料，经过矿热炉碳热还原、渣洗精炼、湿法除杂、定向凝固、电子束熔炼后，得到太阳能级多晶硅。该高纯度的太阳能级多晶硅的B含量≤0.25ppmw、P含量≤0.43ppmw、纯度≥99.9999％。本发明与现有技术相比具有以下优点：1、生产工艺流程短；电耗低；环境污染小；技术方法分步骤、有目的性、选择性、递级性地去除硅中的杂质，产品纯度高。2、本发明可以由硅石直接制备太阳能级多晶硅，可成功应用于大型高压并网电站。