一种低硼低磷冶金硅的生产工艺

基本信息

申请号 CN201110146268.2 申请日 -
公开(公告)号 CN102259859B 公开(公告)日 2012-12-12
申请公布号 CN102259859B 申请公布日 2012-12-12
分类号 C01B33/025(2006.01)I 分类 无机化学;
发明人 刘应宽;盛之林;何怀兴;关宁;王森林;袁小军;范占军 申请(专利权)人 宁夏银星多晶硅有限责任公司
代理机构 合天律师事务所 代理人 郭立宁
地址 751100 宁夏回族自治区吴忠市利通区友谊东路
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及涉及一种低硼低磷冶金硅的生产工艺。其技术方案是:选择SiO2>99%、B<10ppmw、P<5ppmw的硅石,破碎粒度至50~120mm,经水洗净,晾干作为原料硅;选择石油焦作为还原剂;复合添加剂按重量百分比为:CaF260~65%∶CaO22~26%∶Na2SiO37~11%,混合均匀;按照复合添加剂∶还原剂∶硅石=1∶4∶10的重量比分别称重,进行混合,投入矿热炉内,在2000℃~2400℃下熔炼4~5.5小时,中间每隔1.5~2小时停止加热,捣炉3次;将矿热炉中非硅物质与熔融的冶金硅液一同排出,注入硅水包内,进行吹氧操作,缓慢增加气压,使液态硅混合物达到沸腾状态即可,持续35~50分钟;经除渣、定向凝固,得到高品质的冶金硅。