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LDMOS及集成LDMOS与CMOS的半导体器件

基本信息

申请号	CN200710148834.7	申请日	-
公开（公告）号	CN101378075B	公开（公告）日	2012-10-31
申请公布号	CN101378075B	申请公布日	2012-10-31
分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	谭健	申请（专利权）人	深圳赛芯电子科技有限公司
代理机构	上海光华专利事务所	代理人	余明伟
地址	215000 江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区苏州大道东265号现代传媒广场33C
法律状态	-

摘要

本发明提供一种LDMOS及集成LDMOS与CMOS的半导体器件，其中集成LDMOS与CMOS的半导体器件，包括设于一半导体衬底上一CMOS和一LDMOS，其特征在于该LDMOS包括：一位于该衬底表面的沟道，位于该沟道上的一栅极，一源/漏极，该源/漏极包含一位于所述沟道旁且紧挨着该沟道的轻掺杂区和一紧挨着该轻掺杂区的重掺杂区；一与所述源/漏极掺杂类型相反的反向掺杂阱，该反向掺杂阱位于该沟道下方且完全包含该沟道；一与所述源/漏极掺杂类型相反的反向掺杂区，该反向掺杂区位于所述源/漏极的重掺杂区和所述反向掺杂阱之间。本LDMOS充分利用CMOS已有的工艺，大大减化掩膜层数。本发明提供的LDMOS具有开关速度快，导通电阻小，寄生电容低，成本低等优点。