一种银掺杂铜铟镓硒太阳能电池的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910583689.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112186066A | 公开（公告）日 | 2021-01-05 |
| 申请公布号 | CN112186066A | 申请公布日 | 2021-01-05 |
| 分类号 | H01L31/18;H01L31/032;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/14;C23C14/16;C23C14/24;C23C14/35;C23C14/58 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 赵树利 | 申请（专利权）人 | 北京顶荣光伏科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518000 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种银掺杂铜铟镓硒太阳能电池的制备方法包括：在基板上制备背电极层；在所述背电极层表面上制备银膜层；在所述银膜层上制备铜铟镓硒膜层，得到银掺杂铜铟镓硒膜层；在所述银掺杂铜铟镓硒膜层上制备缓冲层；在所述缓冲层上依次制备高阻层和前电极层。与现有技术相比，本技术方案不需要引入新的银膜层制备设备，利用制备背电极的设备制备银预制层，充分利用银在铜铟镓硒沉积生长过程中可以快速扩散的特点，实现银掺杂铜铟镓硒的制备，简化了银掺杂铜铟镓硒薄膜的制备过程。 |
