集成电路的蒸发腔封装结构及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110721375.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113471156A | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN113471156A | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | H01L23/427（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 白鹏飞 | 申请（专利权）人 | 广州华钻电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 黄广龙 |
| 地址 | 510700 广东省广州市高新技术产业开发区科学城科丰路31号华南新材料创新园G4栋501号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种集成电路的蒸发腔封装结构及制造方法。集成电路的蒸发腔封装结构包括：引线框架、导热外壳、储液囊、引流部，引线框架包括晶片支撑部，晶片支撑部用于固定晶片和用于支撑晶片，导热外壳连接引线框架，储液囊用于设置在引线框架或导热外壳上，储液囊用于在受热时释放内部存储的液体，引流部的一端连接引线框架，另一端连接导热外壳。通过在封装结构中设置储液囊，在使用时使储液囊破裂，在封装结构内部形成蒸发腔，使用液体的相变传递晶片的热量，提高芯片的散热效率。 |
