一种有效降低碳化硅单晶缺陷的生长方法和高质量碳化硅单晶专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种有效降低碳化硅单晶缺陷的生长方法和高质量碳化硅单晶

基本信息

申请号	CN201911380301.0	申请日	-
公开（公告）号	CN110983434A	公开（公告）日	2020-04-10
申请公布号	CN110983434A	申请公布日	2020-04-10
分类号	C30B23/00;C30B29/36	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	刘春俊;雍庆;赵宁;彭同华;杨建	申请（专利权）人	北京天科合达新材料有限公司
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	新疆天科合达蓝光半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司;江苏天科合达半导体有限公司;北京天科合达新材料有限公司
地址	102600 北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢301室
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种有效降低碳化硅单晶缺陷的生长方法和高质量碳化硅单晶，方法包括：在碳化硅粉料和籽晶之间设置碳化硅晶体块，加热，碳化硅粉料升华后在所述碳化硅晶体块处结晶，生成碳化硅过渡层，碳化硅过渡层升华后在籽晶处结晶，生长得到碳化硅单晶。该方法通过设置碳化硅晶体块，使得碳化硅单晶的生长不直接来源于碳化硅粉料的升华，而来源碳化硅过渡层的气相升华，能够有效消除碳化硅粉料碳化后形成的细小石墨颗粒，随着气流带到晶体中，另外也能够有效地阻止碳化硅粉料中的杂质进入碳化硅单晶内部；还保证了生长腔室内具有更合适的Si/C比例，减少了碳化硅单晶生长过程中产生的包裹物、微管、位错等缺陷，从而获得高质量的碳化硅单晶。