一种高质量低缺陷碳化硅单晶、其制备方法及应用
基本信息
| 申请号 | CN202011535254.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112779603A | 公开（公告）日 | 2021-05-11 |
| 申请公布号 | CN112779603A | 申请公布日 | 2021-05-11 |
| 分类号 | C30B29/36;C30B23/02 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 刘春俊;姚静;雍庆;娄艳芳;赵宁;王波;彭同华;杨建 | 申请（专利权）人 | 北京天科合达新材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 付丽 |
| 地址 | 102600 北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢301室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种高质量低缺陷碳化硅单晶片，且含有氮；碳面中的氮浓度低于硅面中的氮浓度，且氮浓度在晶片厚度方向上，随着距碳面的距离的增大而增加。本发明中的碳化硅单晶晶片能够保证向碳面凸起弯曲。此种向碳面凸起弯曲的结构在晶体切割和晶片加工过程中得以保留，并与加工应力抵消，可获得残余应力较小的碳化硅单晶晶片，同时有利于减小晶片位错，还保证了外延层的缺陷密度在较低水平。本发明还提供了一种高质量低缺陷碳化硅单晶的制备方法及应用。 |
