一种导电型碳化硅单晶及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011536526.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112725893A | 公开（公告）日 | 2021-04-30 |
| 申请公布号 | CN112725893A | 申请公布日 | 2021-04-30 |
| 分类号 | C30B29/36;C30B23/00 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 刘春俊;雍庆;娄艳芳;赵宁;姚静;王波;彭同华;杨建 | 申请（专利权）人 | 北京天科合达新材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 付丽 |
| 地址 | 102600 北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢301室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种导电型碳化硅单晶，掺杂元素包括氮和原子半径大于硅的原子半径的元素；所述导电型碳化硅单晶的电阻率为0.01Ω·cm～0.05Ω·cm；所述原子半径大于硅的原子半径的元素的掺杂浓度为氮元素浓度的0.1％到10％。本发明中的碳化硅晶体，在氮元素掺入的基础上，通过原子半径大于硅的原子半径的元素的引入，并控制氮和原子半径大于硅的原子半径的元素的浓度，在保证电阻率处于导电类型碳化硅单晶衬底要求的基础上，能够补偿氮原子和碳原子尺寸差异引起的晶格畸变，降低晶体的内应力，降低晶体内部的位错密度。本发明还提供了一种导电型碳化硅单晶的制备方法。 |
