一种低基面位错密度的碳化硅晶体生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201811533723.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110592672A | 公开（公告）日 | 2019-12-20 |
| 申请公布号 | CN110592672A | 申请公布日 | 2019-12-20 |
| 分类号 | C30B29/36;C30B23/00 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 刘春俊;雍庆;彭同华;赵宁;王波;杨建 | 申请（专利权）人 | 北京天科合达新材料有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 102600 北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢301室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种低基面位错密度的碳化硅晶体生长方法，其包括：将装有碳化硅原料和籽晶的坩埚放于单晶生长炉中，在特定的温度和压力条件下使碳化硅原料发生升华并在籽晶上结晶，将晶体冷却，获得碳化硅单晶。本发明的优点是：在生长过程中，在温度保持在高温的条件下，通过控制生长室内的压力来调控SiC晶体生长过程的开始及中断，使碳化硅晶体在先开始生长后再中断生长然后再缓慢接长，从而促使基面位错在中断后接长时转换为刃位错，从而获得低基面位错密度的碳化硅晶体。 |
