一种非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片分析处理方法
基本信息
| 申请号 | CN201210303317.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102842654B | 公开（公告）日 | 2015-08-12 |
| 申请公布号 | CN102842654B | 申请公布日 | 2015-08-12 |
| 分类号 | H01L31/20 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨凯;董德庆;庄春泉;汪涛;唐茜 | 申请（专利权）人 | 四川汉能光伏有限公司 |
| 代理机构 | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨春 |
| 地址 | 518129 广东省深圳市龙岗区坂田街道隆平路新天下工业城2栋一楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片分析处理方法，包括以下步骤：（1）对每一个低功率芯片加贴一个标签，每个标签对应一个ID，该标签至少包括以下信息：a、关键工序的时间，b、沉积炉批次，c、电极位置的格式编码；（2）将ID与电性能测试结果逐一对应并储存在测试电脑上，将所有的低功率芯片的ID与电性能测试结果对应并汇集到唯一个数据库；（3）需要分析某个低功率芯片时，通过对该低功率芯片的ID进行分析，提取出其标签上的所有电性能测试结果，以数据列表或者图表方式呈现。通过本发明能够得到有效的、有针对性的、准确的、完整的直观信息，显著提高了分析处理非晶硅薄膜太阳能电池低功率芯片的效率和准确性。 |
