用于磁控溅射生产线的一体式溅射环靶
基本信息
申请号 | CN201820453866.1 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN208201109U | 公开(公告)日 | 2018-12-07 |
申请公布号 | CN208201109U | 申请公布日 | 2018-12-07 |
分类号 | C23C14/35 | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 金炯;杨林;姜琼 | 申请(专利权)人 | 杭州赛威斯真空技术有限公司 |
代理机构 | 杭州天欣专利事务所(普通合伙) | 代理人 | 陈红 |
地址 | 310052 浙江省杭州市滨江区江虹南路60号2号楼 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本申请公开了一种用于磁控溅射生产线的一体式溅射环靶,包括磁控溅射室、电信号输入口和靶杆,磁控溅射室包括靶材固定座、靶材、靶导磁座、磁钢和靶头座,所述的靶材设置在所述的靶材固定座的下部,所述的靶杆连接所述的靶头座,所述的磁钢设置在靶头座和靶导磁座内,其特征在于:还设置有匀气环、氩气通入管和集成法兰,所述的匀气环设置在所述的磁控溅射室的上部,所述的匀气环上设置有孔,匀气环连接所述的氩气通入管,所述的靶杆和氩气通入管设置在集成法兰上,其优点是:适合大功率输入,带有射频防护功能,提升薄膜质量,装置的集成度高。 |
