一种原镁冶炼同时制备多孔硅的方法
基本信息
| 申请号 | CN201610547063.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106191467A | 公开（公告）日 | 2016-12-07 |
| 申请公布号 | CN106191467A | 申请公布日 | 2016-12-07 |
| 分类号 | C22B26/22(2006.01)I;C01B33/023(2006.01)I | 分类 | 冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理; |
| 发明人 | 崔学军;王忠祥;张瑛琦;张瑛洁 | 申请（专利权）人 | 吉林市润成膜科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 132200 吉林省吉林市永吉经济开发区支路010号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种原镁冶炼同时制备多孔硅的方法，属于金属冶炼及多孔硅制备技术领域。本发明在常压条件下还原轻质氧化镁制取单质镁的方法，同时以高温产生的镁蒸汽为还原剂与纯化硅藻土反应，将二氧化硅还原为多孔硅，该多孔硅可用于电池制备及光电子等领域。本发明常压条件下进行原镁冶炼，并将原镁冶炼与多孔硅制备工艺“合二为一”，极大的简化了操作工艺，整个过程在常压下进行，克服了传统炼镁工艺需真空条件的不足，简化了生产设备，保护气可循环利用，降低了生产成本，所制备的多孔硅保留了硅藻土原有的天然孔结构，剩余镁蒸汽回收，成为商品镁。本发明还能够制备高纯度多孔硅，具有较高的经济价值和应用前景。 |
