具有低起始电压的SiC FET组件及其制造方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

具有低起始电压的SiC FET组件及其制造方法

基本信息

申请号	CN201810284540.5	申请日	-
公开（公告）号	CN108735798A	公开（公告）日	2018-11-02
申请公布号	CN108735798A	申请公布日	2018-11-02
分类号	H01L29/06;H01L29/16;H01L29/78;H01L21/336	分类	基本电气元件;
发明人	廖奇泊;陈俊峰;古一夫	申请（专利权）人	上海芯研亮投资咨询有限公司
代理机构	上海汉声知识产权代理有限公司	代理人	上海芯研亮投资咨询有限公司
地址	200231 上海市徐汇区华泾路509号7幢432室
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种具有低起始电压的SiC FET组件及其制造方法，其包括绝缘层等，铝硅铜层两侧均与绝缘层连接，绝缘层与栅氧化层连接，多晶硅栅层位于栅氧化层内，肖基特层与铝硅铜层连接，P型碳化硅层与肖基特层连接，N井区与N型源极层连接且均位于栅氧化层、P型碳化硅层之间，栅氧化层、N井区、P型碳化硅层均与N型碳化硅外延区一侧连接，N型碳化硅外延区另一侧与N型漏极层连接。本发明可以解决传统MOSFET回复时间过长的问题，降低常见于SiC组件高启始电压的缺点和改善SiC MOSFET组件中栅氧化层因高电场所造成的可靠度问题，大幅提升功率器件的效率，具有快速回复的能力，降低组件的起始电压和改善SiC组件操作于反转模式下载子迁移率降低的问题。