一种具有可见光波段的深紫外LED器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010026984.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111223969B | 公开（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申请公布号 | CN111223969B | 申请公布日 | 2021-07-20 |
| 分类号 | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/44;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张骏;袁章洁;戴江南;陈长清 | 申请（专利权）人 | 武汉深紫科技有限公司 |
| 代理机构 | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 易贤卫 |
| 地址 | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区东信路数码港（光谷创业街73号）E幢一层E1236室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有可见光波段的深紫外LED器件及其制备方法，所述具有可见光波段的深紫外LED器件由下至上依次设置有蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN层、电流扩展层、深紫外波段量子阱有源层、可见波段量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN注入层、p型GaN接触层、DBR层、p电极以及n电极。本发明通过在外延结构中单片集成基于AlGaN材料的深紫外波段量子阱与基于InGaN材料的可见光波段的量子阱，从而真正实现单颗器件既有深紫外波段发光又有可见光波段发光，并简化了双色灯珠器件的制作工序，降低了双色灯珠器件制作成本。 |
