一种快速沉淀制备一维草酸钴的方法
基本信息
| 申请号 | CN201910840178.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110511133A | 公开（公告）日 | 2019-11-29 |
| 申请公布号 | CN110511133A | 申请公布日 | 2019-11-29 |
| 分类号 | C07C51/41;C07C55/07 | 分类 | 有机化学〔2〕; |
| 发明人 | 侴术雷;赖伟鸿;李用成;李东祥;李亚书;宫毅涛 | 申请（专利权）人 | 辽宁星空钠电电池有限公司 |
| 代理机构 | 鞍山顺程商标专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 辽宁星空钠电电池有限公司 |
| 地址 | 114014 辽宁省鞍山市高新区越岭路267号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种快速沉淀制备一维草酸钴的方法，该方法在制备材料中具有高效、快速、简洁等多种优秀特征，克服了沉淀反应的快速析晶导致的调控一维纳米材料的巨大挑战性，制备出一维纳米材料CoC2O4，利用草酸氢钠（NaHC2O4）为沉淀剂快速沉淀出目标材料。NaHC2O4具有低解离系数，可以缓慢的释放出C2O42‑离子，平衡材料的生长速度和扩散速度，使得材料在生长过程中可以定向的按照一维方向生长。本发明提供一种具有优异性能的CoC2O4纳米棒的形貌和物相调控方法。该方法具有成本低、反应速率快、反应温和易控、节能环保、产物纯度高且形貌新颖等优势。 |
