一种端头呈完全独石结构的云母电容器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110179197.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112951603A | 公开（公告）日 | 2021-06-11 |
| 申请公布号 | CN112951603A | 申请公布日 | 2021-06-11 |
| 分类号 | H01G4/005;H01G4/232;H01G4/30 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘建学;王增鹏;扈敬;张文胜;田淑玲;段娜 | 申请（专利权）人 | 陕西华茂电子科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 西安科果果知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李倩 |
| 地址 | 710065 陕西省西安市雁塔区电子西街三号101号厂房2层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种端头呈完全独石结构的云母电容器及其制备方法，包括由交错、叠层装配的云母银片经烧结形成的电容器芯组，其端头为完全独石结构；所述云母银片是在每片云母片两面均设大银电极层和小银电极层，其中大银电极层端头处的高度和小银电极层的高度均与云母片宽度相等，大银电极层与小银电极层之间留有阻挡层，大银电极层在云母片的两侧边均留有宽度相等的绝缘边；所述电容器芯组的两个端头均涂覆有端头银浆。本发明将端头处的银层高度延长至与云母片宽度一致，相邻云母银片的端头部分被银层完全地填充或涂覆，使得其端头在烧结后呈完全独石结构，填补了现有云母电容器端电极引出部分完全独石结构、立体化的国内空白。 |
