一种高速硅光调制器相移臂及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111429663.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114114722A | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN114114722A | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | G02F1/025（2006.01）I | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 余胜;曹权 | 申请（专利权）人 | 武汉飞思灵微电子技术有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市六加知识产权代理有限公司 | 代理人 | 许铨芬 |
| 地址 | 430000湖北省武汉市东湖高新技术开发区高新四路6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及光通信领域，提供了一种高速硅光调制器相移臂及其制备方法，高速硅光调制器相移臂包括：脊型波导；P型掺杂区和N型掺杂区分别位于所述脊型波导的两侧；P型掺杂区包括P型重掺区和P型轻掺区；所述P型重掺区位于所述脊型波导的边界区域，所述P型轻掺区位于所述脊型波导的核心区域；N型掺杂区包括N型重掺区和N型轻掺区；所述N型重掺区位于所述脊型波导的边界区域，所述N型轻掺区位于所述脊型波导的核心区域；本发明通过在脊型波导内光场相对较弱的边界区域进行较高浓度的离子掺杂，在脊型波导内光场相对较强的核心区域进行较低浓度的离子掺杂，使得在提高硅光调制器带宽的同时，不会引起光学损耗较大幅度的增加。 |
