基于磁场耦合的高性能隔离放大器结构
基本信息
| 申请号 | CN202020592096.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212992288U | 公开（公告）日 | 2021-04-16 |
| 申请公布号 | CN212992288U | 申请公布日 | 2021-04-16 |
| 分类号 | H03F1/08(2006.01)I;H03F1/42(2006.01)I;H03F1/26(2006.01)I;H03M3/00(2006.01)I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 黄海滨;蒋赛尖 | 申请（专利权）人 | 无锡思泰迪半导体有限公司 |
| 代理机构 | 无锡盛阳专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 张宁;杨辰 |
| 地址 | 214028江苏省无锡市新吴区长江路16号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及隔离放大器技术领域，具体为一种基于磁场耦合的高性能隔离放大器结构，其能够在有限的耦合带宽限制下获得更高性能的信号放大功能，其包括发送端模块、接收端模块、磁耦合器件，所述发送端模块包括前置放大/滤波模块，其特征在于，所述前置放大/滤波模块顺次连接N比特Delta‑Sigma调制器、电流源开关组，所述接收端模块包括顺次布置的放大整形电路、并行/串行转换器、低通滤波器，所述磁耦合器件对应设置N+1个，N为正整数。 |
