一种高精度带隙基准电压源电路
基本信息
| 申请号 | CN202111234236.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113885640A | 公开（公告）日 | 2022-01-04 |
| 申请公布号 | CN113885640A | 申请公布日 | 2022-01-04 |
| 分类号 | G05F1/567（2006.01）I | 分类 | 控制；调节; |
| 发明人 | 马辉;黄海滨;方帅 | 申请（专利权）人 | 无锡思泰迪半导体有限公司 |
| 代理机构 | 无锡盛阳专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 张宁;杨辰 |
| 地址 | 214028江苏省无锡市新吴区长江路16号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及模拟电路技术领域，具体为一种高精度带隙基准电压源电路，其能够消除传统结构中运算放大器的失调电压对基准电压的影响，大大提高基准电压的精度，其包括电源VDD，所述电源VDD连接MOS管M0的源端，所述MOS管M0的漏端连接电阻R1，所述电阻R1另一端分别连接电阻R2一端和电阻R3一端，所述电阻R2另一端连接电阻R4一端，所述电阻R4另一端连接三极管Q1的发射极、所述电阻R3另一端连接三极管Q2的发射极，所述三极管Q1和所述三极管Q2的集电极、基极均接地。 |
