基于磁场耦合的隔离放大器结构
基本信息
| 申请号 | CN202020590909.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211908751U | 公开（公告）日 | 2020-11-10 |
| 申请公布号 | CN211908751U | 申请公布日 | 2020-11-10 |
| 分类号 | H03F3/68(2006.01)I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 黄海滨;马辉;蒋赛尖 | 申请（专利权）人 | 无锡思泰迪半导体有限公司 |
| 代理机构 | 无锡盛阳专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 张宁;杨辰 |
| 地址 | 214028江苏省无锡市新吴区长江路16号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及隔离放大器技术领域，具体为一种基于磁场耦合的隔离放大器结构，其能够实现发送端、接收端、耦合器件集成于一个芯片，其包括发送端模块、接收端模块和耦合器件，其特征在于，所述发送端模块包括顺次连接的前置放大器/滤波器、脉冲宽度调制器、电流源开关组，所述接收端模块包括顺次连接的放大整形电路和低通滤波器，所述耦合器件包括线圈和磁传感器，所述线圈和磁传感器之间设置有绝缘层。 |
