提高镀膜靶材利用率的方法
基本信息
| 申请号 | CN201610619556.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106244990B | 公开（公告）日 | 2018-12-11 |
| 申请公布号 | CN106244990B | 申请公布日 | 2018-12-11 |
| 分类号 | C23C14/35;C23C14/54 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 徐旻生;庄炳河;张永胜;满小花;曹志刚;吴远法;张雨龙 | 申请（专利权）人 | 爱发科豪威光电薄膜科技（深圳）有限公司 |
| 代理机构 | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张全文 |
| 地址 | 201100 上海市闵行区七莘路1000号1幢4A | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种提高镀膜靶材利用率的方法，包括：在靶材宽度方向上确定位于靶材上的控制节点，所述控制节点包括相对于靶材宽度方向上的中心线对称设置的第一内控制节点和第二内控制节点以及相对于靶材宽度方向上的中心线对称设置的第一外控制节点和第二外控制节点；控制磁条在靶材上方按照从第一内控制节点出发、依次以第二外控制节点、第一外控制节点、第二内控制节点为控制节点实现磁条的反向移动，并最终回到第一内控制节点的移动时序路径进行周期性摇摆变速移动。本发明通过选定磁条移动时的各控制节点位置，并合理地设计磁条周期性摇摆变速移动时序，从而可使得靶材各处的蚀刻深度相对均匀，延长靶材使用寿命，有效提升了靶材整体利用率。 |
