铸造单晶硅用籽晶的制备方法、铸造单晶硅用籽晶、铸造单晶硅
基本信息
| 申请号 | CN202011205548.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112376111B | 公开（公告）日 | 2022-05-24 |
| 申请公布号 | CN112376111B | 申请公布日 | 2022-05-24 |
| 分类号 | C30B11/14（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;C30B33/02（2006.01）I;C30B33/06（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 雷琦;何新根;李小平;李建敏;何亮;邹贵付;甘胜泉;程小娟 | 申请（专利权）人 | 新余赛维铸晶技术有限公司 |
| 代理机构 | 南昌逸辰知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 338004 江西省新余市高新开发区赛维大道1950号江西赛维LDK太阳能高科技有限公司研发大楼2楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种铸造单晶硅用籽晶的制备方法、铸造单晶硅用籽晶和铸造单晶硅。铸造单晶硅用籽晶的制备方法的步骤为：利用定向凝固方法制备铸造单晶硅锭；将所述铸造单晶硅锭切割成原始籽晶；对所述原始籽晶进行热处理，得到所述籽晶，所述热处理的温度不高于1200℃。通过对铸造单晶硅锭切割的原始籽晶进行热处理，可有效降低原始籽晶的晶体微缺陷，从而得到铸造单晶硅用籽晶，而采用该籽晶得到的铸造单晶硅锭的与采用单晶晶棒切割作为籽晶的铸造单晶硅锭制备成的电池片的效率相当。 |
