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一种籽晶的铺设方法、单晶硅锭的铸造方法和单晶硅片

基本信息

申请号 CN202010027396.4 申请日 -
公开（公告）号 CN113122913A 公开（公告）日 2021-07-16
申请公布号 CN113122913A 申请公布日 2021-07-16
分类号 C30B15/36（2006.01）I;C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 雷琦;何亮;邹贵付;程小娟;陈仙辉;甘胜泉 申请（专利权）人 新余赛维铸晶技术有限公司
代理机构 广州三环专利商标代理有限公司 代理人 熊永强
地址 338004江西省新余市高新技术产业园区
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供了一种籽晶的铺设方法，包括：提供坩埚、多个第一籽晶和多个第二籽晶，所述第一籽晶和所述第二籽晶的生长面为同一晶向族，均为<100>；在所述坩埚底部交替拼接铺设所述第一籽晶和所述第二籽晶，形成籽晶层，其中，所述籽晶层包括至少一个2×2矩阵单元，在同一矩阵单元的对角线方向上的两个第一籽晶的生长面晶向相反，在同一矩阵单元的对角线方向上的两个第二籽晶的生长面的晶向相反，所述第一籽晶和所述第二籽晶的侧面晶向具有夹角。通过本申请提供的籽晶铺设方法，使得籽晶与其周围籽晶之间侧面晶向均存在夹角，在制备单晶硅过程中可以形成晶界，减少缺陷的发生和引晶时的位错源，降低位错密度，提高硅锭的质量。