一种提高晶圆良率的晶圆制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202210063669.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114512440A | 公开（公告）日 | 2022-05-17 |
| 申请公布号 | CN114512440A | 申请公布日 | 2022-05-17 |
| 分类号 | H01L21/78（2006.01）I;H01L21/027（2006.01）I;G06V40/13（2022.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 姜桐;黄昊;刘自涛 | 申请（专利权）人 | 上海菲戈恩微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都蓉创智汇知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 200000上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区高斯路497号2层203室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种晶圆制造方法，该方法在消光光阑制作前，先在切割道上形成工艺辅助结构。本发明解决了因涂胶不均匀使得结构厚度均匀差，从而导致指纹芯片采集图像的像素值不均匀的问题。 |
