一种存储器电路及其存储器修补方法
基本信息
| 申请号 | CN202010673163.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113724777A | 公开（公告）日 | 2021-11-30 |
| 申请公布号 | CN113724777A | 申请公布日 | 2021-11-30 |
| 分类号 | G11C29/44（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 邱创隆 | 申请（专利权）人 | 珠海南北极科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京高沃律师事务所 | 代理人 | 崔玥 |
| 地址 | 519080广东省珠海市高新区金唐路1号港湾1号科创园24栋B区2层202室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种存储器电路及其存储器修补方法。所述存储器电路，包括一第一存储器阵列以及一第二存储器阵列，所述第一存储器阵列与所述第二存储器阵列是各自独立的，所述第一存储器阵列包括多个一般位元，所述第二存储器阵列包括多个备用位元，所述第一存储器阵列中的不佳位元的位址储存在第二存储器阵列中，所述存储器电路根据所述位址让多个所述备用位元的其中一个取代不佳位元。 |
