单次可程序化位元的形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202010461119.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113724769A | 公开（公告）日 | 2021-11-30 |
| 申请公布号 | CN113724769A | 申请公布日 | 2021-11-30 |
| 分类号 | G11C17/16（2006.01）I;G11C11/15（2006.01）I;G11C13/00（2006.01）I;H01L43/08（2006.01）I;H01L27/22（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 柯昱州 | 申请（专利权）人 | 珠海南北极科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京高沃律师事务所 | 代理人 | 杜阳阳 |
| 地址 | 519080广东省珠海市高新区金唐路1号港湾1号科创园24栋B区2层202室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种单次可程序化位元的形成方法，首先，提供一薄膜存储器装置，其包含至少一个存储器元件与一晶体管，且存储器元件电性串联晶体管。接着，在一交流电流的复数周期中，施加交流电流于存储器元件与晶体管，并限制提供给存储器元件的功率，且导通晶体管，以改变存储器元件的电阻，直到存储器元件的电阻发生不可逆改变为止。本发明利用双极性电流对薄膜存储器装置施压，并限制提供给存储器装置的功率，以达到较低崩溃电压，同时缩小崩溃后的电阻分布范围。 |
