一种用于真空磁控溅射的金铜合金靶材及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种用于真空磁控溅射的金铜合金靶材及其制备方法

基本信息

申请号	CN202010073578.5	申请日	-
公开（公告）号	CN111188010A	公开（公告）日	2020-05-22
申请公布号	CN111188010A	申请公布日	2020-05-22
分类号	C23C14/14;C23C14/35;C22C5/02;C22C1/03	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	赵宏达;刘革;常占河;于志凯	申请（专利权）人	沈阳东创贵金属材料有限公司
代理机构	沈阳东大知识产权代理有限公司	代理人	沈阳东创贵金属材料有限公司
地址	110015 辽宁省沈阳市沈河区文化东路89号
法律状态	-

摘要

本发明的一种用于真空磁控溅射的金铜合金靶材及其制备方法，靶材包括组分及质量百分含量为：Au 75‑90wt.％，Cu 7.5‑21.25wt.％，Zn 0.8‑1.84wt.％，Ag 0.6‑1.6wt.％，Co 0.5‑0.7wt.％，Si 0.12‑0.2wt.％，Ir 0.02‑0.05wt.％。制备时，按顺序依次熔化铜银后，加入钴硅铱熔化精炼后，按比例加入熔化的金中，在特定条件下精炼，冷却获得合金锭，合金锭依次经特定升温速率保温均匀化、控制道次压下量进行轧制，及表面处理后，制得金铜合金靶材。该特定组分与工艺下获得的金铜合金靶材经镀膜实验，能够获得抗人工汗、耐盐雾和耐高温等性能良好的膜层。