一种半导体器件的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201610559436.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107622939A | 公开（公告）日 | 2018-01-23 |
| 申请公布号 | CN107622939A | 申请公布日 | 2018-01-23 |
| 分类号 | H01L21/027;H01L21/225;H01L21/265;H01L29/06;G03F7/20 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李菲;任留涛;李欣 | 申请（专利权）人 | 超致（上海）半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海智晟知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 超致（上海）半导体有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。通过该方法，可减少外延层数目，从而简化工艺流程、降低成本、提高工艺精度。该方法包括：在衬底上提供第一导电类型的第一外延层；在所述第一外延层上形成掩模层，以限定第二导电类型的柱形扩散区所在的区域；使用兆电子伏特级能量的第二导电类型掺杂剂离子，对第一外延层进行离子注入，以形成第二导电类型掺杂剂本体区；去除所述掩模层；进行高温推阱，使第二导电类型掺杂本体区中第二导电类型掺杂物进行扩散，得到第二导电类型的柱形扩散区。 |
