一种晶圆金属层的腐蚀方法和装置
基本信息
| 申请号 | CN202110579185.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113517190A | 公开（公告）日 | 2021-10-19 |
| 申请公布号 | CN113517190A | 申请公布日 | 2021-10-19 |
| 分类号 | H01L21/3213（2006.01）I;H01L21/027（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;G03F7/20（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴沛飞;孙俊敏;武晓玮;韩纪层 | 申请（专利权）人 | 国网福建省电力有限公司电力科学研究院 |
| 代理机构 | 北京安博达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐国文 |
| 地址 | 102209北京市昌平区未来科技城滨河大道18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种晶圆金属层的腐蚀方法和装置，采用溅射工艺或蒸发工艺在晶圆表面沉积一定厚度的金属层，采用光刻工艺在沉积有金属层的晶圆表面形成光刻胶掩膜图案，采用腐蚀工艺对所述光刻胶掩膜图案底部的金属层进行腐蚀，能够尽可能避免腐蚀后出现掉胶和塌胶现象，避免掉胶和塌胶而引起的表面线条不规整、侧壁形貌参差不齐等工艺不良问题，可极大改善腐蚀区边缘线条的光滑平直性，提高了晶圆的良率。同时保证了金属层腐蚀图形的质量，有效地完善了金属腐蚀工艺和光刻工艺之间的互补性。 |
