一种用于选择性移除氮化钛硬掩模和/或蚀刻残留物的组合物
基本信息
| 申请号 | CN201810082642.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110095952A | 公开（公告）日 | 2019-08-06 |
| 申请公布号 | CN110095952A | 申请公布日 | 2019-08-06 |
| 分类号 | G03F7/42 | 分类 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 曹立志;王新龙;支肖琼;杨玉川;周友 | 申请（专利权）人 | 张家港奥擎电子化学有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 肖威;刘金辉 |
| 地址 | 215634 江苏省苏州市张家港保税区新兴产业育成中心A栋210B室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于选择性移除氮化钛硬掩模和/或蚀刻残留物的组合物，其包含氧化剂、多胺化合物、铵盐和腐蚀抑制剂。本发明组合物可有效移除氮化钛硬掩模和/或蚀刻残留物，而不对半导体晶片结构上暴露的金属铜和介电材料（即低k材料）产生明显腐蚀。此外，本发明的移除组合物可在比较大的温度范围内发挥作用，具有较大的操作窗口。 |
