一种用于清洗经化学机械抛光的晶片的清洗组合物
基本信息
| 申请号 | CN201810082805.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110093616A | 公开（公告）日 | 2019-08-06 |
| 申请公布号 | CN110093616A | 申请公布日 | 2019-08-06 |
| 分类号 | C23G1/26 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 曹立志;王新龙;支肖琼;杨玉川;周友 | 申请（专利权）人 | 张家港奥擎电子化学有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 肖威;刘金辉 |
| 地址 | 215634 江苏省苏州市张家港保税区新兴产业育成中心A栋210B室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种用于清洗经化学机械抛光的晶片的清洗组合物，其包含聚乙烯亚胺、链烷醇胺、金属腐蚀抑制剂和任选的非离子表面活性剂。本发明清洗组合物可用于对化学机械抛光后的含金属晶片进行表面清洗。本发明清洗组合物可将抛光后残留在晶片表面的研磨颗粒、各种有机残留物和金属离子去除，降低表面缺陷，并且可以防止金属表面的腐蚀。 |
