一种应用于mini和micro背光的直下式背光源结构及其制造方法

基本信息

申请号 CN201810774284.8 申请日 -
公开(公告)号 CN109148428B 公开(公告)日 2021-07-30
申请公布号 CN109148428B 申请公布日 2021-07-30
分类号 H01L25/075(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I;H01L33/52(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 孙智江;王书昶;陈虎 申请(专利权)人 海迪科(南通)光电科技有限公司
代理机构 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 滑春生
地址 226500江苏省南通市如皋市桃园镇育华村34组
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种应用于mini和micro背光的直下式背光源结构及其制备方法,包括PCB板、WLP封装形式的LED芯片、第一荧光粉层、PCB板上设置有若干WLP封装形式的LED芯片,WLP封装形式的LED芯片包括LED芯片本体以及覆盖在该芯片本体顶面的单浓度荧光粉层;在PCB板上设置有覆盖WLP封装形式LED芯片的第一荧光粉层,该第一荧光粉层的高度高于WLP封装形式LED芯片的高度,第一荧光粉层的荧光粉浓度记做W1,第一荧光粉层的折射率记做N1;第一荧光粉层上设置混光层,混光层的荧光粉浓度记做W2,且W2<W1;混光层的折射率记做N2,且N2<N1。本发明优点在于:确保LED芯片贴装至PCB上的时候准确定位,并能实现更好的混光效果,在达到相同混光效果的同时,有利于降低混光层的厚度。