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一种功率器件及其制作方法

基本信息

申请号 CN201810782322.4 申请日 -
公开（公告）号 CN108962848B 公开（公告）日 2021-09-21
申请公布号 CN108962848B 申请公布日 2021-09-21
分类号 H01L23/367（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 徐立根 申请（专利权）人 深圳市福来过科技有限公司
代理机构 南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 任立
地址 211500 江苏省南京市六合区雄州街道王桥路59号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种功率器件及其制作方法，包括：在硅片上表面形成第一沟槽，在所述硅片下表面形成第二沟槽；在所述第一沟槽内形成源极和栅极结构；在所述第二沟槽内形成背面电极；在所述硅片上表面所述第一沟槽两侧形成第三沟槽和第四沟槽，在所述硅片下表面所述第二沟槽两侧形成第五沟槽和第六沟槽；在所述第三沟槽、所述第四沟槽、所述第五沟槽和所述第六沟槽的侧壁和底面形成介质层；在所述第三沟槽、所述第四沟槽、所述第五沟槽和所述第六沟槽内形成第一金属层；在所述正面电极的上表面和所述背面电极的下表面分别形成第一防水层和第二防水层；将所述硅片上表面连接第一散热结构，将所述硅片下表面连接第二散热结构，增加功率器件的热耗散。