一种晶体管及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201810927537.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109119469B | 公开（公告）日 | 2021-05-07 |
| 申请公布号 | CN109119469B | 申请公布日 | 2021-05-07 |
| 分类号 | H01L29/735;H01L29/167;H01L21/331 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郑晓玲 | 申请（专利权）人 | 深圳市福来过科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李明香 |
| 地址 | 276017 山东省临沂市临沂国家高新区双月园路276号龙湖软件园B座201室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的外延层，生长在所述衬底的第一表面；第一导电类型基区，贯穿所述外延层且一端与所述衬底相连接，使得所述外延层形成发射区和集电区；所述发射区包括在所述衬底的第一表面向上依次形成的第一隔离层，发射极层以及第二隔离层；在所述基区远离所述发射区一侧的外延层区域内形成集电区。本发明提出的晶体管结构简单，放大系数稳定。 |
