一种高结晶质量的氮化铪薄膜制备方法及应用
基本信息
| 申请号 | CN202110003038.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112831768A | 公开（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申请公布号 | CN112831768A | 申请公布日 | 2021-05-25 |
| 分类号 | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/58;C23C14/54 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 魏洁;陈怀浩;杨少延;魏鸿源;高洁 | 申请（专利权）人 | 南京佑天金属科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 常虹 |
| 地址 | 211164 江苏省南京市江宁区谷里街道工业集中区庆缘北路116号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高结晶质量的氮化铪薄膜制备方法，包括：1、对硅衬底进行高温烘烤；2、降低硅衬底温度，通入溅射气体氩气，在第一反溅射功率下对硅衬底进行反溅射干式清洗；3、在第二溅射功率下对金属铪靶材进行射频磁控溅射预处理；4、在第三溅射功率下采用射频磁控溅射在硅衬底表面预沉积薄金属铪层；5、通入反应气体氮气与溅射气体氩气形成混合气体，在第四反溅射功率下采用反溅射形成薄氮化铪成核层；6、在第五溅射功率下采用直流磁控溅射进行氮化铪薄膜沉积生长；7、停止通入溅射气体氩气，在氮气气氛下对氮化铪薄膜高温退火；8、将硅衬底温度降至室温。该方法能够在硅衬底上实现高结晶质量的氮化铪薄膜的制备。 |
