利用磁控溅射在硅衬底上制备的金属铪薄膜、方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN202110841158.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113584446A | 公开（公告）日 | 2021-11-02 |
| 申请公布号 | CN113584446A | 申请公布日 | 2021-11-02 |
| 分类号 | C23C14/35（2006.01）I;C23C14/02（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I;C23C14/16（2006.01）I;C23C14/50（2006.01）I;C23C14/58（2006.01）I;H01L21/285（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 魏鸿源;杨少延;魏洁;陈怀浩 | 申请（专利权）人 | 南京佑天金属科技有限公司 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 吴梦圆 |
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种利用磁控溅射在硅衬底上制备的金属铪薄膜、方法和应用。利用磁控溅射在硅衬底上制备金属铪薄膜方法，包括：将硅衬底和金属铪靶材装入磁控溅射设备生长室，对硅衬底进行超高真空高温烘烤处理；利用磁控溅射反溅射干式清洗工艺对硅衬底进行表面溅射处理；利用磁控溅射沉积工艺在硅衬底上制备氮化铪阻挡层；利用磁控溅射溅射沉积工艺在氮化铪阻挡层上制备金属铪薄膜；对金属铪薄膜进行原位真空高温退火处理，降温至室温完成金属铪薄膜制备。本发明利用磁控溅射工艺在硅衬底上实现金属铪薄膜单一择优取向高结晶质量制备。所制备的金属铪薄膜可应用于欧姆接触金属电极材料或硅衬底氮化镓材料异质外延制备中的导电缓冲层材料。 |
