一种利用磁控溅射在硅衬底上制备金属锆薄膜的方法及应用专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种利用磁控溅射在硅衬底上制备金属锆薄膜的方法及应用

基本信息

申请号	CN202110002896.7	申请日	-
公开（公告）号	CN112831766A	公开（公告）日	2021-05-25
申请公布号	CN112831766A	申请公布日	2021-05-25
分类号	C23C14/35;C23C14/16;C23C14/06;C23C14/18	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	魏洁;杨少延;陈怀浩;魏鸿源	申请（专利权）人	南京佑天金属科技有限公司
代理机构	南京苏高专利商标事务所（普通合伙）	代理人	常虹
地址	211164 江苏省南京市江宁区谷里街道工业集中区庆缘北路116号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种利用磁控溅射在硅衬底上制备金属锆薄膜的方法，包括：1对硅衬底进行高温烘烤；2降低硅衬底温度，通入溅射气体，在第一反溅射功率下对硅衬底进行反溅射干式清洗；3在第二溅射功率下对金属锆靶材进行射频磁控溅射预处理；4在第三溅射功率下采用射频磁控溅射在硅衬底表面预沉积薄金属锆层；5通入混合气体，在第四反溅射功率下采用反溅射形成薄氮化锆成核层；6在第五溅射功率下采用直流磁控溅射进行薄氮化锆阻挡层沉积生长；7通入溅射气体，在第六溅射功率下采用射频磁控溅射沉积金属锆薄膜；8停止通入气体，对金属锆薄膜高温退火；9将硅衬底温度降至室温。该方法能够在硅衬底上实现金属锆薄膜单一择优取向高结晶质量制备。