模拟中子发生器及制备方法、可控中子源故障检测方法
基本信息
| 申请号 | CN202011286327.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112512198A | 公开（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申请公布号 | CN112512198A | 申请公布日 | 2021-03-16 |
| 分类号 | E21B49/00(2006.01)I;G01V5/00(2006.01)I;H05H3/06(2006.01)I | 分类 | 其他类目不包含的电技术; |
| 发明人 | 陆杰;魏军学;惠晗;付国华 | 申请（专利权）人 | 西安奥华电子仪器股份有限公司 |
| 代理机构 | 西安智邦专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王杨洋 |
| 地址 | 710061陕西省西安市航天基地飞天路588号北航科技园1号楼4021-3室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及中子发生器，具体涉及一种模拟中子发生器及制备方法、可控中子源故障检测方法。本发明的目的是解决现有可控中子源仪器用中子发生器存在中子管在无屏蔽的环境下试验时靶压不能超过20KV，远低于实际工况下的靶压，导致部分电参数不能全面检测，可控中子源仪器一旦出现故障，在没有相关中子屏蔽防护的状态下可能会误出中子射线，导致不能立刻全面检测仪器，只能返厂维修，致使维修周期过长的技术问题，提供一种模拟中子发生器及制备方法、可控中子源故障检测方法。该模拟中子发生器能加高压，能电离但不会出射中子射线，使用该装置后，可以测试高压电路及电离电路，对全面分析仪器参数起到了促进作用，确保了试验的安全性。 |
