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写操作电路、半导体存储器和写操作方法

基本信息

申请号 CN201911021589.2 申请日 -
公开（公告）号 CN112712841A 公开（公告）日 2021-04-27
申请公布号 CN112712841A 申请公布日 2021-04-27
分类号 G11C11/4093;G11C11/4096 分类 信息存储;
发明人 张良 申请（专利权）人 长鑫存储技术（上海）有限公司
代理机构 北京市铸成律师事务所 代理人 包莉莉;武晨燕
地址 200336 上海市长宁区虹桥路1438号1幢801、802、805单元(名义楼层9层)
法律状态 -

摘要

摘要 本申请实施例至少提供一种写操作电路，包括：数据判断模块，根据半导体存储器的输入数据中为低的数据的位数，确定是否翻转输入数据，以生成翻转标识数据和第一中间数据；数据缓冲模块，根据第二中间数据，确定是否翻转全局总线，其中，第二中间数据为第一中间数据的反相数据；数据接收模块，根据翻转标识数据，对全局总线数据进行解码，并将解码后的数据写入半导体存起的存储块，解码包括确定是否翻转全局总线数据；预充电模块，将全局总线的初始态设置为高。本申请实施例的技术方案可以实现在Precharge上拉架构下，减少内部全局总线的翻转次数，从而大幅压缩电流，降低功耗。