读操作电路、半导体存储器和读操作方法
基本信息
| 申请号 | CN201911021588.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112712842A | 公开（公告）日 | 2021-04-27 |
| 申请公布号 | CN112712842A | 申请公布日 | 2021-04-27 |
| 分类号 | G11C11/4096;G11C11/4093 | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 张良 | 申请（专利权）人 | 长鑫存储技术（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 北京市铸成律师事务所 | 代理人 | 包莉莉;武晨燕 |
| 地址 | 200336 上海市长宁区虹桥路1438号1幢801、802、805单元(名义楼层9层) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请实施例至少提供一种读操作电路，包括：数据判断模块，用于从存储块中读出读取数据，并根据前次读取数据和当前读取数据中数据变化的位数，确定是否翻转当前读取数据，以输出供全局总线传输的全局总线数据和供翻转标识信号线传输的翻转标识数据；数据接收模块，用于根据翻转标识数据，确定是否翻转全局总线数据，以输出缓存数据；并串转换电路，用于对缓存数据进行并串转换，以生成DQ端口的输出数据；数据缓冲模块，用于根据使能信号以及当前读取数据确定全局总线的初始态。本申请实施例的技术方案可以实现在TriState架构下，减少内部全局总线翻转次数，大幅压缩电流，降低功耗。 |
